BUK9907-40ATC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK9907-40ATC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: TO2205

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BUK9907-40ATC datasheet

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BUK9907-40ATC

BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET Rev. 01 28 January 2002 Product data M3D745 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance and TrenchPLUS diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. Product availability BUK9907-40A

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BUK9907-40ATC

BUK91/9907-55ATE TrenchPLUS logic level FET Rev. 01 7 February 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUS diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. Product availability BUK9107-55ATE in

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