BUK9907-40ATC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9907-40ATC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO2205

Аналог (замена) для BUK9907-40ATC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9907-40ATC даташит

 ..1. Size:355K  philips
 buk9907-40atc.pdf pdf_icon

BUK9907-40ATC

BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET Rev. 01 28 January 2002 Product data M3D745 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance and TrenchPLUS diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. Product availability BUK9907-40A

 6.1. Size:376K  philips
 buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf pdf_icon

BUK9907-40ATC

BUK91/9907-55ATE TrenchPLUS logic level FET Rev. 01 7 February 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUS diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. Product availability BUK9107-55ATE in

Другие IGBT... BUK9660-100A, BUK9675-100A, BUK9675-55A, BUK98150-55A, BUK98180-100A, BUK9832-55A, BUK9875-100A, BUK9880-55A, IRF1405, BUK9907-55ATE, BUK9C07-65BIT, BUK9C10-55BIT, BUK9C10-65BIT, BUK9E04-30B, BUK9E04-40A, BUK9E06-55A, BUK9E06-55B