75339P Todos los transistores

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75339P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 75339P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 124 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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75339P Datasheet (PDF)

1.1. huf75339g3 huf75339p3 huf75339s3s.pdf Size:308K _fairchild_semi

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