75339P Todos los transistores

 

75339P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 75339P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 124 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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75339P Datasheet (PDF)

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5.1. hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf Size:226K _update_mosfet

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HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs • 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs • Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ innovative UltraFET® process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

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