NX2301P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NX2301P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB
Búsqueda de reemplazo de NX2301P MOSFET
NX2301P Datasheet (PDF)
nx2301p.pdf

NX2301P20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 26 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive Very fast switching
nx2301p.pdf

Product specificationNX2301P20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 26 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Driv
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History: NP100N04MDH | QM3036D | 2SK1384 | AON2403 | 2N5951 | IPI80N06S2L-11 | AON2401
History: NP100N04MDH | QM3036D | 2SK1384 | AON2403 | 2N5951 | IPI80N06S2L-11 | AON2401



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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