NX2301P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NX2301P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для NX2301P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX2301P даташит

 ..1. Size:911K  nxp
 nx2301p.pdf pdf_icon

NX2301P

NX2301P 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 26 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive Very fast switching

 ..2. Size:223K  tysemi
 nx2301p.pdf pdf_icon

NX2301P

Product specification NX2301P 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 26 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Driv

Другие IGBT... BUK9Y19-75B, BUK9Y22-30B, BUK9Y27-40B, BUK9Y30-75B, BUK9Y34-100B, BUK9Y40-55B, BUK9Y53-100B, BUK9Y58-75B, P55NF06, NX3008CBKS, NX3008CBKV, NX3008NBK, NX3008NBKS, NX3008NBKT, NX3008NBKV, NX3008NBKW, NX3008PBK