Справочник MOSFET. NX2301P

 

NX2301P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NX2301P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для NX2301P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX2301P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  nxp
 nx2301p.pdf pdf_icon

NX2301P

NX2301P20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 26 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive Very fast switching

 ..2. Size:223K  tysemi
 nx2301p.pdf pdf_icon

NX2301P

Product specificationNX2301P20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 26 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Driv

Другие MOSFET... BUK9Y19-75B , BUK9Y22-30B , BUK9Y27-40B , BUK9Y30-75B , BUK9Y34-100B , BUK9Y40-55B , BUK9Y53-100B , BUK9Y58-75B , IRFB4115 , NX3008CBKS , NX3008CBKV , NX3008NBK , NX3008NBKS , NX3008NBKT , NX3008NBKV , NX3008NBKW , NX3008PBK .

History: 2SK2912L

 

 
Back to Top

 


 
.