PH2925U Todos los transistores

 

PH2925U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH2925U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH2925U Datasheet (PDF)

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PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

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PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

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History: HAT1097RJ | AP2319GN-HF | SIB410DK

 

 
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