Справочник MOSFET. PH2925U

 

PH2925U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH2925U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2925U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  philips
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

 ..2. Size:687K  nxp
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SQ2319ADS | SIHG47N60S | KDS3601 | 9N95 | IRF140 | FDMS3624S | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.