PH2925U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH2925U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH2925U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2925U даташит

 ..1. Size:184K  philips
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925U N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 04 24 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

 ..2. Size:687K  nxp
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925U N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 04 24 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

Другие IGBT... NX3008NBKV, NX3008NBKW, NX3008PBK, NX3008PBKS, NX3008PBKT, NX3008PBKV, NX3008PBKW, PH2520U, K3569, PH3120L, PHB110NQ08T, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, PHB27NQ10T, PHB29N08T