Справочник MOSFET. PH2925U

 

PH2925U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH2925U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH2925U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2925U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  philips
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

 ..2. Size:687K  nxp
 ph2925u.pdf pdf_icon

PH2925U

PH2925UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 04 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... NX3008NBKV , NX3008NBKW , NX3008PBK , NX3008PBKS , NX3008PBKT , NX3008PBKV , NX3008PBKW , PH2520U , SPP20N60C3 , PH3120L , PHB110NQ08T , PHB18NQ10T , PHB191NQ06LT , PHB20N06T , PHB20NQ20T , PHB27NQ10T , PHB29N08T .

History: HAT1097RJ | SIB410DK | AP2319GN-HF

 

 
Back to Top

 


 
.