PHB27NQ10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB27NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB27NQ10T datasheet

 ..1. Size:118K  philips
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PHB27NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP27NQ10T, PHB27NQ10T PHD27NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 28 A g RDS(ON) 50 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:890K  nxp
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PHB27NQ10T

PHB27NQ10T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 17 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

Otros transistores... PH2520U, PH2925U, PH3120L, PHB110NQ08T, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, AON7410, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025