PHB27NQ10T Todos los transistores

 

PHB27NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB27NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHB27NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  philips
 phb27nq10t phd27nq10t php27nq10t 1.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP27NQ10T, PHB27NQ10T PHD27NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 28 AgRDS(ON) 50 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:890K  nxp
 phb27nq10t.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

PHB27NQ10TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 17 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 F

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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