Справочник MOSFET. PHB27NQ10T

 

PHB27NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB27NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB27NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB27NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  philips
 phb27nq10t phd27nq10t php27nq10t 1.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP27NQ10T, PHB27NQ10T PHD27NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 28 AgRDS(ON) 50 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:890K  nxp
 phb27nq10t.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

PHB27NQ10TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 17 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 F

Другие MOSFET... PH2520U , PH2925U , PH3120L , PHB110NQ08T , PHB18NQ10T , PHB191NQ06LT , PHB20N06T , PHB20NQ20T , RFP50N06 , PHB29N08T , PHB32N06LT , PHB33NQ20T , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 .

History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.