PHB27NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB27NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB27NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB27NQ10T даташит

 ..1. Size:118K  philips
 phb27nq10t phd27nq10t php27nq10t 1.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP27NQ10T, PHB27NQ10T PHD27NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 28 A g RDS(ON) 50 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 ..2. Size:890K  nxp
 phb27nq10t.pdf pdf_icon

PHB27NQ10T

PHB27NQ10T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 17 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

Другие IGBT... PH2520U, PH2925U, PH3120L, PHB110NQ08T, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, AON7410, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025