PHB33NQ20T Todos los transistores

 

PHB33NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB33NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHB33NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 php33nq20t phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

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 ..2. Size:682K  nxp
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PHB33NQ20T

PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 3 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

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History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109

 

 
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