PHB33NQ20T Todos los transistores

 

PHB33NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB33NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PHB33NQ20T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHB33NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 php33nq20t phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHP/PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 8 November 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge.1.3 Applications DC-to-DC

 ..2. Size:682K  nxp
 phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 3 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Otros transistores... PHB110NQ08T , PHB18NQ10T , PHB191NQ06LT , PHB20N06T , PHB20NQ20T , PHB27NQ10T , PHB29N08T , PHB32N06LT , IRF1010E , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T .

History: 2SK2498 | SSM6L14FE | JCS4N80CH | STV160NF03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.