Справочник MOSFET. PHB33NQ20T

 

PHB33NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB33NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB33NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 php33nq20t phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHP/PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 8 November 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge.1.3 Applications DC-to-DC

 ..2. Size:682K  nxp
 phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 3 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTMFS5844NLT1G | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | IXTH130N10T | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.