Справочник MOSFET. PHB33NQ20T

 

PHB33NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB33NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB33NQ20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB33NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 php33nq20t phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHP/PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 8 November 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge.1.3 Applications DC-to-DC

 ..2. Size:682K  nxp
 phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHB33NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 3 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... PHB110NQ08T , PHB18NQ10T , PHB191NQ06LT , PHB20N06T , PHB20NQ20T , PHB27NQ10T , PHB29N08T , PHB32N06LT , IRF530 , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T .

History: AON6816 | CHM6338JGP | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.