PHB33NQ20T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB33NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB33NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB33NQ20T даташит

 ..1. Size:84K  philips
 php33nq20t phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHP/PHB33NQ20T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 8 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge. 1.3 Applications DC-to-DC

 ..2. Size:682K  nxp
 phb33nq20t.pdf pdf_icon

PHB33NQ20T

PHB33NQ20T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 3 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

Другие IGBT... PHB110NQ08T, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, PHB27NQ10T, PHB29N08T, PHB32N06LT, IRF1010E, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T