PHB66NQ03LT Todos los transistores

 

PHB66NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB66NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB66NQ03LT Datasheet (PDF)

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PHB66NQ03LT

PHB66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 07 30 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feature

Otros transistores... PHB20NQ20T , PHB27NQ10T , PHB29N08T , PHB32N06LT , PHB33NQ20T , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , IRLB4132 , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T .

History: 2SK1181 | VS3610GPMT | 2SK1283 | PMR400UN | IRLR3636 | AS3621 | SSF7509J7

 

 
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