PHB66NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB66NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB66NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB66NQ03LT даташит

 ..1. Size:683K  nxp
 phb66nq03lt.pdf pdf_icon

PHB66NQ03LT

PHB66NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 07 30 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feature

Другие IGBT... PHB20NQ20T, PHB27NQ10T, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, CS150N03A8, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T