Справочник MOSFET. PHB66NQ03LT

 

PHB66NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB66NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB66NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB66NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  nxp
 phb66nq03lt.pdf pdf_icon

PHB66NQ03LT

PHB66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 07 30 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feature

Другие MOSFET... PHB20NQ20T , PHB27NQ10T , PHB29N08T , PHB32N06LT , PHB33NQ20T , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , IRLB4132 , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T .

History: SM6F03NSI

 

 
Back to Top

 


 
.