PHC2300 Todos los transistores

 

PHC2300 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHC2300
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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PHC2300 Datasheet (PDF)

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PHC2300

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHC2300Complementary enhancementmode MOS transistors1997 Oct 24Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 19File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationComplementary enhancement modePHC2300MOS transistorsFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION

 ..2. Size:929K  nxp
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PHC2300

PHC2300Complementary enhancement mode MOS transistorsRev. 05 24 February 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionOne N-channel and one P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features and ben

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History: SM6A22NSF

 

 
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