PHD38N02LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD38N02LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD38N02LT datasheet

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PHD38N02LT

PHD38N02LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 2 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive 1.3 Applications Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory 1.4 Qui

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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PHD38N02LT

isc N-Channel MOSFET Transistor PHD38N02LT FEATURES Drain Current I = 44.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Otros transistores... PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, TK10A60D, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT