Справочник MOSFET. PHD38N02LT

 

PHD38N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD38N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  nxp
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

PHD38N02LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 2 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive1.3 Applications Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory1.4 Qui

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

isc N-Channel MOSFET Transistor PHD38N02LTFEATURESDrain Current I = 44.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NP48N055DLE | SIHG47N60S | NCEAP6090AGU | 9N95 | IRHNA597160 | TMU3N40ZG | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.