Справочник MOSFET. PHD38N02LT

 

PHD38N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD38N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD38N02LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  nxp
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

PHD38N02LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 2 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive1.3 Applications Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory1.4 Qui

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

isc N-Channel MOSFET Transistor PHD38N02LTFEATURESDrain Current I = 44.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , IRFZ24N , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.