PHD38N02LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD38N02LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD38N02LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD38N02LT даташит

 ..1. Size:84K  nxp
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

PHD38N02LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 2 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive 1.3 Applications Linear regulator for Double-Data Rate (DDR) memory 1.4 Qui

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 phd38n02lt.pdf pdf_icon

PHD38N02LT

isc N-Channel MOSFET Transistor PHD38N02LT FEATURES Drain Current I = 44.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Другие IGBT... PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, TK10A60D, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT