PHD97NQ03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD97NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de PHD97NQ03LT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHD97NQ03LT datasheet

 ..1. Size:170K  philips
 phd97nq03lt.pdf pdf_icon

PHD97NQ03LT

PHD97NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

 ..2. Size:673K  nxp
 phd97nq03lt.pdf pdf_icon

PHD97NQ03LT

PHD97NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

Otros transistores... PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, BS170, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT