PHD97NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD97NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD97NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD97NQ03LT даташит

 ..1. Size:170K  philips
 phd97nq03lt.pdf pdf_icon

PHD97NQ03LT

PHD97NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

 ..2. Size:673K  nxp
 phd97nq03lt.pdf pdf_icon

PHD97NQ03LT

PHD97NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

Другие IGBT... PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, BS170, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT