PHD97NQ03LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHD97NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для PHD97NQ03LT
PHD97NQ03LT Datasheet (PDF)
phd97nq03lt.pdf
PHD97NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features
phd97nq03lt.pdf
PHD97NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features
Другие MOSFET... PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , BS170 , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT .
History: AM2304
History: AM2304
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor