PHK12NQ03LT Todos los transistores

 

PHK12NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHK12NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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PHK12NQ03LT Datasheet (PDF)

 4.1. Size:823K  cn vbsemi
 phk12nq03l.pdf pdf_icon

PHK12NQ03LT

PHK12NQ03Lwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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History: FMV19N60ES | LSG80R2K8GT | AP15N03GJ-HF | QM2416J | IPB037N06N3G | UPA2792GR | GP1M008A050XX

 

 
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