Справочник MOSFET. PHK12NQ03LT

 

PHK12NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK12NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHK12NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK12NQ03LT Datasheet (PDF)

 4.1. Size:823K  cn vbsemi
 phk12nq03l.pdf pdf_icon

PHK12NQ03LT

PHK12NQ03Lwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Другие MOSFET... PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , P0903BDG , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T .

History: 2SK544 | TPD65R380C | PMT21EN | IPB60R120P7 | AP85T03GJ-HF | IRFI7536GPBF | DN3765

 

 
Back to Top

 


 
.