PHK18NQ03LT Todos los transistores

 

PHK18NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHK18NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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PHK18NQ03LT Datasheet (PDF)

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PHK18NQ03LT

PHK18NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 17 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

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History: AP65WN2K3L | CS13N50A8H | STD4N80K5 | FHA20N50A | ELM13406CA | MMBFJ309 | AMPCW120R30CV

 

 
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