PHK18NQ03LT Todos los transistores

 

PHK18NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHK18NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de PHK18NQ03LT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHK18NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  philips
 phk18nq03lt.pdf pdf_icon

PHK18NQ03LT

PHK18NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 17 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

Otros transistores... PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , 13N50 , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , PHN210T .

History: QM3004U | SE7401U | 2SK349

 

 
Back to Top

 


 
.