PHK18NQ03LT Todos los transistores

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PHK18NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHK18NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 6.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0089 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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PHK18NQ03LT Datasheet (PDF)

1.1. phk18nq03lt.pdf Size:200K _philips2

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PHK18NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 17 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and b

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