Справочник MOSFET. PHK18NQ03LT

 

PHK18NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK18NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHK18NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK18NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  philips
 phk18nq03lt.pdf pdf_icon

PHK18NQ03LT

PHK18NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 17 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

Другие MOSFET... PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , 13N50 , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , PHN210T .

 

 
Back to Top

 


 
.