PHK31NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHK31NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.15 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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PHK31NQ03LT Datasheet (PDF)

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PHK31NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 3 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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