PHK31NQ03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHK31NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.15 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0044 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для PHK31NQ03LT
PHK31NQ03LT Datasheet (PDF)
..1. Size:199K philips
phk31nq03lt.pdf
phk31nq03lt.pdf
PHK31NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 3 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
