PHK31NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK31NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHK31NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK31NQ03LT даташит

 ..1. Size:199K  philips
 phk31nq03lt.pdf pdf_icon

PHK31NQ03LT

PHK31NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 3 11 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, SI2302, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T