Справочник MOSFET. PHK31NQ03LT

 

PHK31NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK31NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK31NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  philips
 phk31nq03lt.pdf pdf_icon

PHK31NQ03LT

PHK31NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 3 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP11NB40FP | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | SIHF730S

 

 
Back to Top

 


 
.