Справочник MOSFET. PHK31NQ03LT

 

PHK31NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK31NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHK31NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK31NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  philips
 phk31nq03lt.pdf pdf_icon

PHK31NQ03LT

PHK31NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 3 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , IRFZ46N , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , PHN210T , PHP18NQ10T , PHP18NQ11T .

History: IRFSL3607

 

 
Back to Top

 


 
.