PHKD6N02LT Todos los transistores

 

PHKD6N02LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHKD6N02LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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PHKD6N02LT Datasheet (PDF)

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PHKD6N02LT

PHKD6N02LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2

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History: 2SK3574-Z | HM2015DN03Q | BLP038N15-T | AP5600N | HFD2N90 | 2N7002BKV | 2SK1727

 

 
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