Справочник MOSFET. PHKD6N02LT

 

PHKD6N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHKD6N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD6N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  nxp
 phkd6n02lt.pdf pdf_icon

PHKD6N02LT

PHKD6N02LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SML8030LVR | TK20S04K3L | 2SK3572-Z | FRM244H | DMN1033UCB4 | FSS913AOD | 2SK3092

 

 
Back to Top

 


 
.