PHKD6N02LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHKD6N02LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHKD6N02LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD6N02LT даташит

 ..1. Size:172K  nxp
 phkd6n02lt.pdf pdf_icon

PHKD6N02LT

PHKD6N02LT Dual N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 27 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2

Другие IGBT... PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, IRF520, PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225