Справочник MOSFET. PHKD6N02LT

 

PHKD6N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHKD6N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHKD6N02LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD6N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  nxp
 phkd6n02lt.pdf pdf_icon

PHKD6N02LT

PHKD6N02LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2

Другие MOSFET... PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , CS150N03A8 , PHN203 , PHN210T , PHP18NQ10T , PHP18NQ11T , PHP191NQ06LT , PHP20N06T , PHP20NQ20T , PHP225 .

History: SPC9N50G | AP9435GP-HF | TPB70R950C | CS10N60A8HD | NTMFS4939NT1G | FDP8N50NZU | RS1G120MN

 

 
Back to Top

 


 
.