PHN203 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHN203
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHN203

PHN203 Datasheet (PDF)

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phn203 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN203 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 25 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 6.3 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 30 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 55 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL DES

9.1. Size:87K philips
phn205 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHN205Dual N-channel enhancementmodeMOS transistor1997 Oct 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 18File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationDual N-channel enhancement modePHN205MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM12N60 | F3L15MR12W2M1B69

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: