PHN203 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHN203

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de PHN203 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHN203 datasheet

 ..1. Size:79K  philips
 phn203 2.pdf pdf_icon

PHN203

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN203 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 25 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 6.3 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 30 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 55 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL DES

 9.1. Size:87K  philips
 phn205 3.pdf pdf_icon

PHN203

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHN205 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor 1997 Oct 22 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 18 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN205 MOS transistor FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switching PIN SYMBOL DESCRIPTION

Otros transistores... PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, IRF2807, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T