Справочник MOSFET. PHN203

 

PHN203 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHN203
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHN203 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  philips
 phn203 2.pdf pdf_icon

PHN203

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN203 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 25 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 6.3 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 30 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 55 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL DES

 9.1. Size:87K  philips
 phn205 3.pdf pdf_icon

PHN203

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHN205Dual N-channel enhancementmodeMOS transistor1997 Oct 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 18File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationDual N-channel enhancement modePHN205MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: ET6310 | BL12N70-A | NTTFS6H850N | FDB12N50TM | 2SK4069-ZK-E1-AY | SPU01N60C3 | STP170N8F7

 

 
Back to Top

 


 
.