PHN203 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHN203
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO8
PHN203 Datasheet (PDF)
phn203 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN203 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 25 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 6.3 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 30 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 55 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL DES
phn205 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHN205Dual N-channel enhancementmodeMOS transistor1997 Oct 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 18File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationDual N-channel enhancement modePHN205MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
