PHN210T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHN210T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de PHN210T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHN210T datasheet

 8.1. Size:87K  philips
 phn210 3.pdf pdf_icon

PHN210T

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

 8.2. Size:92K  philips
 phn210.pdf pdf_icon

PHN210T

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

Otros transistores... PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, PHN203, STF13NM60N, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T