PHN210T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHN210T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для PHN210T
PHN210T Datasheet (PDF)
phn210 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
phn210.pdf

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
Другие MOSFET... PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , IRF2807 , PHP18NQ10T , PHP18NQ11T , PHP191NQ06LT , PHP20N06T , PHP20NQ20T , PHP225 , PHP23NQ11T , PHP27NQ11T .
History: IRFSL3207 | AP3N4R0H | FQP10N20CTSTU | KI1903DL | BLM8205B | AO4480 | AM4998N
History: IRFSL3207 | AP3N4R0H | FQP10N20CTSTU | KI1903DL | BLM8205B | AO4480 | AM4998N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet