PHN210T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHN210T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для PHN210T
PHN210T Datasheet (PDF)
phn210 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
phn210.pdf

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 Vd1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)s1g1 s2 g2GENERAL
Другие MOSFET... PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , IRFZ24N , PHP18NQ10T , PHP18NQ11T , PHP191NQ06LT , PHP20N06T , PHP20NQ20T , PHP225 , PHP23NQ11T , PHP27NQ11T .
History: PJQ2888 | NCEA01P13K | NCE6080AI | NCE8736 | STP20NM50FP | ZVN4306AVSTZ
History: PJQ2888 | NCEA01P13K | NCE6080AI | NCE8736 | STP20NM50FP | ZVN4306AVSTZ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet