PHN210T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHN210T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHN210T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHN210T даташит

 8.1. Size:87K  philips
 phn210 3.pdf pdf_icon

PHN210T

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

 8.2. Size:92K  philips
 phn210.pdf pdf_icon

PHN210T

Philips Semiconductors Product specification Dual N-channel enhancement mode PHN210 TrenchMOSTM transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Dual device VDS = 30 V d1 d1 d2 d2 Low threshold voltage Fast switching ID = 3.4 A Logic level compatible Surface mount package RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V) RDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V) s1 g1 s2 g2 GENERAL

Другие IGBT... PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, PHN203, STF13NM60N, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T