PHP9NQ20T Todos los transistores

 

PHP9NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP9NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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PHP9NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

 9.1. Size:29K  philips
 php9n60e.pdf pdf_icon

PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION

Otros transistores... PHP27NQ11T , PHP28NQ15T , PHP29N08T , PHP30NQ15T , PHP33NQ20T , PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , 8N60 , PHT4NQ10LT , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP .

History: AON3702 | SM7A24NSF | DACMI120N120BZK | FXN0303D | S10H16S | NCE65NF068 | STD10N60M2

 

 
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