PHP9NQ20T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP9NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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PHP9NQ20T datasheet

 ..1. Size:115K  philips
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PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

 9.1. Size:29K  philips
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PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 s GENERAL DESCRIPTION

Otros transistores... PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, IRFB7545, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP