PHP9NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP9NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP9NQ20T

PHP9NQ20T Datasheet (PDF)

..1. Size:115K philips
phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

9.1. Size:29K philips
php9n60e.pdf

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: