PHP9NQ20T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP9NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP9NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP9NQ20T даташит

 ..1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

 9.1. Size:29K  philips
 php9n60e.pdf pdf_icon

PHP9NQ20T

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 s GENERAL DESCRIPTION

Другие IGBT... PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, IRFB7545, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP