PHP9NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHP9NQ20T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для PHP9NQ20T
PHP9NQ20T Datasheet (PDF)
phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using
php9n60e.pdf

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION
Другие MOSFET... PHP27NQ11T , PHP28NQ15T , PHP29N08T , PHP30NQ15T , PHP33NQ20T , PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , 8N60 , PHT4NQ10LT , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP .
History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P
History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet