PHT4NQ10LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHT4NQ10LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SC73

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PHT4NQ10LT datasheet

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PHT4NQ10LT

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PHT4NQ10LT

PHT4NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 2 May 2002 Product data M3D087 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHT4NQ10T in SOT223. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Surface mount package. 3. Applications Primary side switch in DC to DC conver

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