PHT4NQ10LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT4NQ10LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 6.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SC73
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PHT4NQ10LT Datasheet (PDF)
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Liste
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