PHT4NQ10LT Todos los transistores

 

PHT4NQ10LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHT4NQ10LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC73
 

 Búsqueda de reemplazo de PHT4NQ10LT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHT4NQ10LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  nxp
 pht4nq10lt.pdf pdf_icon

PHT4NQ10LT

PHT4NQ10LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 2 28 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.1.2 Features and b

 6.1. Size:292K  nxp
 pht4nq10t.pdf pdf_icon

PHT4NQ10LT

PHT4NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 02 2 May 2002 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHT4NQ10T in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC conver

Otros transistores... PHP28NQ15T , PHP29N08T , PHP30NQ15T , PHP33NQ20T , PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , PHP9NQ20T , EMB04N03H , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN .

History: UT100N03L-TQ2-T | 2SK3070 | AP4N2R6S | SE6020DB | AP18P10GS | IRF7749L2TRPBF | JCS40N25WC

 

 
Back to Top

 


 
.