Справочник MOSFET. PHT4NQ10LT

 

PHT4NQ10LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHT4NQ10LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SC73
 

 Аналог (замена) для PHT4NQ10LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT4NQ10LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  nxp
 pht4nq10lt.pdf pdf_icon

PHT4NQ10LT

PHT4NQ10LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 2 28 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.1.2 Features and b

 6.1. Size:292K  nxp
 pht4nq10t.pdf pdf_icon

PHT4NQ10LT

PHT4NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 02 2 May 2002 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHT4NQ10T in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC conver

Другие MOSFET... PHP28NQ15T , PHP29N08T , PHP30NQ15T , PHP33NQ20T , PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , PHP9NQ20T , EMB04N03H , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN .

 

 
Back to Top

 


 
.