PHT4NQ10T Todos los transistores

 

PHT4NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHT4NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC73
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHT4NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  nxp
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PHT4NQ10T

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 6.1. Size:174K  nxp
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PHT4NQ10T

PHT4NQ10LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 2 28 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.1.2 Features and b

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History: AM5853 | WMS10DH04TS | ET2N7002K | 2SK776 | DMN4010LFG | HM40N20 | IRLB3036GPBF

 

 
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