PHT4NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHT4NQ10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SC73
PHT4NQ10T Datasheet (PDF)
pht4nq10t.pdf

PHT4NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 02 2 May 2002 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHT4NQ10T in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC conver
pht4nq10lt.pdf

PHT4NQ10LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 2 28 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.1.2 Features and b
Другие MOSFET... PHP29N08T , PHP30NQ15T , PHP33NQ20T , PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , PHP9NQ20T , PHT4NQ10LT , IRF9640 , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN , PMF290XN .
History: CS100N03B8
History: CS100N03B8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent