PHT4NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHT4NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SC73

Аналог (замена) для PHT4NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT4NQ10T даташит

 ..1. Size:292K  nxp
 pht4nq10t.pdf pdf_icon

PHT4NQ10T

PHT4NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 2 May 2002 Product data M3D087 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHT4NQ10T in SOT223. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Surface mount package. 3. Applications Primary side switch in DC to DC conver

 6.1. Size:174K  nxp
 pht4nq10lt.pdf pdf_icon

PHT4NQ10T

PHT4NQ10LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 2 28 October 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications. 1.2 Features and b

Другие IGBT... PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, K2611, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP, PMF280UN, PMF290XN