PHU97NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHU97NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.15 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHU97NQ03LT
PHU97NQ03LT Datasheet (PDF)
phu97nq03lt.pdf
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PHU97NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 21 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featur
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