Справочник MOSFET. PHU97NQ03LT

 

PHU97NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU97NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для PHU97NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU97NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  philips
 phu97nq03lt.pdf pdf_icon

PHU97NQ03LT

PHU97NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 21 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featur

Другие MOSFET... PHP45NQ10T , PHP45NQ11T , PHP79NQ08LT , PHP9NQ20T , PHT4NQ10LT , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , 2N7002 , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN , PMF290XN , PMF370XN , PMF3800SN , PMF400UN .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.