Справочник MOSFET. PHU97NQ03LT

 

PHU97NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU97NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU97NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  philips
 phu97nq03lt.pdf pdf_icon

PHU97NQ03LT

PHU97NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 21 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTP4N50A | R6535KNZ1 | TPC8061-H | VSE002N03MS-G | IPD30N06S2-23 | NTTFS4932NTAG | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.