PHU97NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHU97NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для PHU97NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU97NQ03LT даташит

 ..1. Size:200K  philips
 phu97nq03lt.pdf pdf_icon

PHU97NQ03LT

PHU97NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 21 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur

Другие IGBT... PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, MMIS60R580P, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP, PMF280UN, PMF290XN, PMF370XN, PMF3800SN, PMF400UN