PMF170XP Todos los transistores

 

PMF170XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMF170XP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70
 

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PMF170XP Datasheet (PDF)

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PMF170XP

PMF170XP20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology3. Applications Relay driver

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History: DMN1019UVT | SPP80N05L | HUF75831SK8T | TD422BL | LSGE10R080W3

 

 
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