PMF170XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMF170XP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC70
Búsqueda de reemplazo de PMF170XP MOSFET
PMF170XP Datasheet (PDF)
pmf170xp.pdf

PMF170XP20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology3. Applications Relay driver
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History: HM4410B | GSM3459 | IPAN60R180P7S | PMF280UN
History: HM4410B | GSM3459 | IPAN60R180P7S | PMF280UN



Liste
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