PMF170XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF170XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для PMF170XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF170XP даташит

 ..1. Size:700K  nxp
 pmf170xp.pdf pdf_icon

PMF170XP

PMF170XP 20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET 29 October 2013 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology 3. Applications Relay driver

Другие IGBT... PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, 60N06, PMF280UN, PMF290XN, PMF370XN, PMF3800SN, PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP