Справочник MOSFET. PMF170XP

 

PMF170XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF170XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF170XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:700K  nxp
 pmf170xp.pdf pdf_icon

PMF170XP

PMF170XP20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology3. Applications Relay driver

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1482 | SQJ460AEP | SRM7N60 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.