Справочник MOSFET. PMF170XP

 

PMF170XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF170XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для PMF170XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF170XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:700K  nxp
 pmf170xp.pdf pdf_icon

PMF170XP

PMF170XP20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology3. Applications Relay driver

Другие MOSFET... PHP9NQ20T , PHT4NQ10LT , PHT4NQ10T , PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , AO4468 , PMF280UN , PMF290XN , PMF370XN , PMF3800SN , PMF400UN , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP .

History: MP88N25C | HFP6N60U | ELM32420LA | AFN2304AS | CMP3006-VB | SIHF8N50D | STU2030PLS

 

 
Back to Top

 


 
.