Справочник MOSFET. PMF170XP

 

PMF170XP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMF170XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для PMF170XP

 

 

PMF170XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:700K  nxp
 pmf170xp.pdf

PMF170XP PMF170XP

PMF170XP20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSFET technology3. Applications Relay driver

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top