PMF370XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMF370XN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
Encapsulados: SC70
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PMF370XN datasheet
pmf370xn.pdf
PMF370XN N-channel TrenchMOS extremely low level FET 5 July 2019 Product data sheet 1. General description Extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 2. Features and benefits Low con
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History: PMR780SN | 7N65G-TF3T-T
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Liste
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