PMF370XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF370XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для PMF370XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF370XN даташит

 ..1. Size:262K  nxp
 pmf370xn.pdf pdf_icon

PMF370XN

PMF370XN N-channel TrenchMOS extremely low level FET 5 July 2019 Product data sheet 1. General description Extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 2. Features and benefits Low con

Другие IGBT... PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP, PMF280UN, PMF290XN, IRF730, PMF3800SN, PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN