Справочник MOSFET. PMF370XN

 

PMF370XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF370XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для PMF370XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF370XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  nxp
 pmf370xn.pdf pdf_icon

PMF370XN

PMF370XNN-channel TrenchMOS extremely low level FET5 July 2019 Product data sheet1. General descriptionExtremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use incomputing, communications, consumer and industrial applications only.2. Features and benefits Low con

Другие MOSFET... PHT6N06T , PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN , PMF290XN , BS170 , PMF3800SN , PMF400UN , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.