Справочник MOSFET. PMF370XN

 

PMF370XN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMF370XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.87 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для PMF370XN

 

 

PMF370XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  nxp
 pmf370xn.pdf

PMF370XN PMF370XN

PMF370XNN-channel TrenchMOS extremely low level FET5 July 2019 Product data sheet1. General descriptionExtremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use incomputing, communications, consumer and industrial applications only.2. Features and benefits Low con

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top