Справочник MOSFET. PMF370XN

 

PMF370XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF370XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.87 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF370XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  nxp
 pmf370xn.pdf pdf_icon

PMF370XN

PMF370XNN-channel TrenchMOS extremely low level FET5 July 2019 Product data sheet1. General descriptionExtremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use incomputing, communications, consumer and industrial applications only.2. Features and benefits Low con

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TSM1NB60CW | R6535KNZ1 | IRF7324PBF | VSE002N03MS-G | VBE1206 | 4N60G-TN3-R | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.