PMF400UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMF400UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.56 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.83 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMF400UN

PMF400UN Datasheet (PDF)

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PMF400UNN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 01 11 February 2004 Product dataM3D1021. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance Low threshold voltage.1.3 Applications Driver

..2. Size:1783K cn vbsemi
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PMF400UNwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: