PMF400UN Todos los transistores

 

PMF400UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMF400UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMF400UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
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PMF400UN

PMF400UNN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 01 11 February 2004 Product dataM3D1021. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance Low threshold voltage.1.3 Applications Driver

 ..2. Size:1783K  cn vbsemi
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PMF400UN

PMF400UNwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
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