Справочник MOSFET. PMF400UN

 

PMF400UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF400UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF400UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 pmf400un.pdf pdf_icon

PMF400UN

PMF400UNN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 01 11 February 2004 Product dataM3D1021. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance Low threshold voltage.1.3 Applications Driver

 ..2. Size:1783K  cn vbsemi
 pmf400un.pdf pdf_icon

PMF400UN

PMF400UNwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие MOSFET... PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN , PMF290XN , PMF370XN , PMF3800SN , IRF3205 , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN .

History: FQPF7N65CF105 | UPA1770 | KRF7703 | IXTH10N60 | RU1HL8L | TSM4946DCS | P1308ATFG

 

 
Back to Top

 


 
.