PMG85XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMG85XP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP6
Búsqueda de reemplazo de PMG85XP MOSFET
PMG85XP Datasheet (PDF)
pmg85xp.pdf

PMG85XP20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 28 June 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fa
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History: JCS5N65FB | RUR040N02TL | FQD13N06TM | TPCF8108 | AOSD21311C | 2SK3219-01MR
History: JCS5N65FB | RUR040N02TL | FQD13N06TM | TPCF8108 | AOSD21311C | 2SK3219-01MR



Liste
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