Справочник MOSFET. PMG85XP

 

PMG85XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMG85XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMG85XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1453K  nxp
 pmg85xp.pdf pdf_icon

PMG85XP

PMG85XP20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 28 June 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP95T06GP-HF | AP4604IN | IRL8113LPBF | STD14NM50N | 2SK1471 | IRLSZ34A | 2SK1637

 

 
Back to Top

 


 
.