PMG85XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMG85XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TSSOP6

Аналог (замена) для PMG85XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMG85XP даташит

 ..1. Size:1453K  nxp
 pmg85xp.pdf pdf_icon

PMG85XP

PMG85XP 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 28 June 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fa

Другие IGBT... PMF290XN, PMF370XN, PMF3800SN, PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, IRF540, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP