Справочник MOSFET. PMG85XP

 

PMG85XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMG85XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMG85XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMG85XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1453K  nxp
 pmg85xp.pdf pdf_icon

PMG85XP

PMG85XP20 V, 2 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 28 June 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fa

Другие MOSFET... PMF290XN , PMF370XN , PMF3800SN , PMF400UN , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , IRF540N , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP .

History: IXTQ96N20P | CEM6659 | TK10A50D | NVD5C668NL | BSC050N03MS | AOB7S60 | 2SK2276

 

 
Back to Top

 


 
.