PMGD370XN Todos los transistores

 

PMGD370XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMGD370XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.74 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMGD370XN

 

PMGD370XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
pmgd370xn.pdf

PMGD370XN
PMGD370XN

PMGD370XNDual N-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 01 27 February 2004 Product dataMBD1281. Product profile1.1 DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low th

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


PMGD370XN
  PMGD370XN
  PMGD370XN
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: PZF010HK | PZC010HK | PZC010BL | PZ607UZ | PZ5S6JZ | PZ5S6EA | PZ5G7EA | PZ5D8JZ | PZ5D8EA | PZ567JZ | PZ5203EMAA | PX607UZ | PX5S6JZ | PX5S6EA | PX5D8JZ-T | PX5D8EA

 

 

 
Back to Top