PMGD370XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMGD370XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.74 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm

Encapsulados: TSSOP6

 Búsqueda de reemplazo de PMGD370XN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMGD370XN datasheet

 ..1. Size:87K  philips
 pmgd370xn.pdf pdf_icon

PMGD370XN

PMGD370XN Dual N-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 27 February 2004 Product data MBD128 1. Product profile 1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low th

Otros transistores... PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, IRFZ44, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN