PMGD370XN Todos los transistores

 

PMGD370XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMGD370XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.74 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMGD370XN Datasheet (PDF)

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PMGD370XN

PMGD370XNDual N-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 01 27 February 2004 Product dataMBD1281. Product profile1.1 DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low th

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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