Справочник MOSFET. PMGD370XN

 

PMGD370XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMGD370XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.74 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMGD370XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD370XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
 pmgd370xn.pdf pdf_icon

PMGD370XN

PMGD370XNDual N-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 01 27 February 2004 Product dataMBD1281. Product profile1.1 DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low th

Другие MOSFET... PMF400UN , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , IRFZ44 , PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.