PMGD400UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMGD400UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.71 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP6

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PMGD400UN Datasheet (PDF)

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pmgd400un.pdf

PMGD400UNDual N-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 01 3 March 2004 Product dataMBD1281. Product profile1.1 DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low threshold

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Liste

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