PMGD400UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMGD400UN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.71 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TSSOP6

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PMGD400UN datasheet

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PMGD400UN

PMGD400UN Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 3 March 2004 Product data MBD128 1. Product profile 1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low threshold

Otros transistores... PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, IRF640, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN