PMGD400UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMGD400UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.71 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TSSOP6

Аналог (замена) для PMGD400UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD400UN даташит

 ..1. Size:95K  philips
 pmgd400un.pdf pdf_icon

PMGD400UN

PMGD400UN Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 3 March 2004 Product data MBD128 1. Product profile 1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low threshold

Другие IGBT... PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, IRF640, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN