Справочник MOSFET. PMGD400UN

 

PMGD400UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMGD400UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.71 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMGD400UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD400UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  philips
 pmgd400un.pdf pdf_icon

PMGD400UN

PMGD400UNDual N-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 01 3 March 2004 Product dataMBD1281. Product profile1.1 DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Dual device Fast switching Low on-state resistance Low threshold

Другие MOSFET... PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , IRFP460 , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN .

History: AP75T10GP | SM6358D1RL | P5015BD | PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.